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朗科將研發(fā)超高頻DDR5電競(jìng)內(nèi)存,頻率競(jìng)速10000MHz

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  • 來(lái)源:本站
  • 發(fā)布時(shí)間:2021-04-16

日前,首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達(dá)朗科研發(fā)總部,朗科正式進(jìn)入DDR5內(nèi)存研發(fā)階段。此批到達(dá)的顆粒為Micron DDR5 ES,IC編號(hào)為Z9ZSB,根據(jù)Micron官網(wǎng)查詢?yōu)镋S樣品,顆粒容量為2Gx8,工作時(shí)序?yàn)?0-40-40。

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顆?;?znm工藝制造,尺寸為11x9mm,以下為高清圖賞。

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朗科自2018年進(jìn)入內(nèi)存行業(yè),目前已經(jīng)推出新款電競(jìng)及國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存產(chǎn)品,預(yù)計(jì)在今年6月推出DDR4電競(jìng)RGB燈條。結(jié)合內(nèi)存性能的過(guò)往發(fā)展、研發(fā)路程以及對(duì)玩家速度的追求,朗科計(jì)劃投入研發(fā)可達(dá)10000MHz以上的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,敬請(qǐng)期待。


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